シリコンウェハなどIR透過材料を用いたデバイス内部を、波長1,000〜1,500 nmで鮮明に観察。アドバンスドパッケージで課題となるアライメントズレ、ボイド、接着剥がれなどの検査に高精度で対応します。IR光による高コントラスト観察と高さ測定を1台で実現し、非破壊での解析・評価の効率化をサポートします。
研究開発からプロセス改善まで、半導体材料メーカー・デバイスメーカーの品質向上と歩留まり改善に貢献します。